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通信用IC & RFデバイス
NJG1802K51

ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC

特長
  • 低切替電圧 (VCTL(H)=1.8V typ.)
  • 低動作電圧 (VDD=2.7V typ.)
  • 低歪み (
    IIP3=+73dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBm
    IIP3=+73dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm
    2nd/3rd harmonics=-90dBc/90dBc typ. @ f=0.9GHz, PIN=35dBm
  • 高線形性 (P-0.1dB =36dBm min.)
  • 低挿入損失 (0.18dB/ 0.20dB/ 0.23dB typ. @f=0.9GHz/ 1.9GHz/ 2.7GHz)
  • 超小型・超薄型パッケージ (QFN12-51 (Package size: 2.0 x 2.0 x 0.375mm.))
  • RoHS 対応, ハロゲンフリー, MSL1
概要
NJG1802K51 はLTE/UMTS/CDMA/GSM 等の通信端末用途に最適なハイパワーSPDT スイッチです。本製品は切替電圧1.8V に対応し、低損失、高アイソレーション、高線形性を2.7GHz までカバーすることを特徴としています。本製品は消費電流を削減するためにシャットダウン機能を有しています。保護素子を内蔵することにより高いESD 耐圧を有しています。DCブロッキングキャパシタが不要であるため実装面積の縮小が可能です(DCバイアス印加時は除く)。
アプリケーション
  • LTE, UMTS, CDMA, GSM 用途
  • PA 出力切替、アンテナ切替、バンド切替 及びその他汎用用途
パッケージ情報
製品名 パッケージ
外形図
ピン数Material Declaration
(RoHS/Halogen)
めっき
組成
製品質量(mg)
(参考値)
リフロー
実装
フロー
実装
手はんだ
実装
包装
形態
MSLフットパターン
NJG1802K51 download
QFN12-51
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サンプル & 購入
製品名パッケージ名称ステータスパッケージ仕様サンプル
NJG1802K51 QFN12-51 (Active)
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