CMOS RF-ICとの組み合わせにより、携帯電話の低価格化に貢献

2009年7月16日

バイパス回路付き低雑音増幅器GaAs MMIC NJG1138HA8のサンプル配布

新日本無線では、欧州向け900MHz帯W-CDMA携帯電話向けに最適なバイパス回路付き低雑音増幅器GaAs MMIC NJG1138HA8の開発を完了し、サンプル配布を可能としました。

【開発背景】

近年、携帯電話のコストダウンの手段としてRF-ICのCMOSプロセス化が進んでいます。従来の低雑音増幅器は、RF-ICに内蔵されていましたが、CMOSプロセスでは安価で高線形性を持つ低雑音増幅器を構成することが難しいため、外部部品として低雑音増幅器を追加する必要があります。以上の事から、CMOSプロセス化によるコストダウン実現には、外部部品として高線形性を持つ低雑音増幅器が必要となります。
  NJG1138HA8は、このような要求を満たした900MHz帯W-CDMA携帯電話端末用バイパス回路付き低雑音増幅器です。

【製品特徴】

NJG1138HA8は、低雑音増幅回路・バイパス回路・制御用ロジック回路で構成された低雑音増幅器です。高線形性・低消費電流・ESD保護回路内蔵などの特徴を持ち、さらに基地局に近い地域などで発生する強電界入力時のアンプ歪み防止のために、増幅回路を介さないバイパスモード(Low gainモード)を搭載しています。

1.高い線形性と低消費電流の両立を実現
高性能HJ FETプロセスを適用することにより、高線形性(IIP3 0dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)を実現しながらも、低消費電流(2.3mA typ. @VCTL=1.8V)の両立を実現しました。
2.高いESD(Electrostatic Discharge)耐圧を実現
保護素子を内蔵しており、HBM(Human Body Model)法で、2000V以上の高いESD(Electrostatic Discharge)耐圧を実現。

【その他】

【開発製品一覧】

製品名 NJG1138HA8
機 能 W-CDMA用低雑音増幅器
応 用 携帯電話/データ通信カード
外 形 USB6-A8
NJG1138HA8

【製品の機能および特徴の概要】

[共通項目] [High Gainモード] [Low Gainモード] [共通項目]

【生産予定/サンプル価格】

詳細なスペックはこちら
NJG1138HA8

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