CMOS RF-ICとの組み合わせにより、携帯電話の低価格化に貢献

2009年2月23日

バイパス回路付き低雑音増幅器GaAs MMIC NJG1135MD7のサンプル配布開始

新日本無線では、CMOS RF-IC*1を用いた800MHz/1900MHz帯CDMA携帯電話向けに最適なバイパス回路付き低雑音増幅器GaAs MMIC NJG1135MD7の開発を完了し、サンプル配布を可能としました。

近年、携帯電話のコストダウンの手段としてRF-IC*1のCMOSプロセス化が進んでいます。従来の低雑音増幅器はRF-IC*1に内蔵されていましたが、CMOSプロセスでは高線形性を持つ低雑音増幅器を構成することが難しいため、外部部品として低雑音増幅器を追加する必要があります。
  以上の事から、CMOSプロセス化によるコストダウン実現には、外部部品として高線形性を持つ低雑音増幅器が必要となります。NJG1135MD7は、このような要求を満たした 800MHz/1900MHz帯 CDMA携帯電話端末用バイパス回路付き低雑音増幅器です。

NJG1135MD7は、低雑音増幅回路・バイパス回路・制御用ロジック回路で構成されており、高性能HJ FETプロセスを適用することで、高線形性 (IIP3 +10dBm typ. @f=880MHz/IIP3 +8dBm typ. @f=1960MHz)を実現しています。
  また、基地局に近い地域などで発生する強電界入力時のアンプ歪み防止のために、増幅回路を介さないバイパスモード(Low gainモード)を搭載し、さらに内蔵の低雑音増幅回路をスタンバイ状態とすることで低消費電流化を実現します。

NJG1135MD7は、小型・薄型パッケージEQFN14-D7(1.6×1.6×0.397mm typ.)に搭載しており、搭載基板の省スペース化を可能にするとともに、鉛フリー・ハロゲンフリーパッケージにより環境負荷軽減にも貢献できます。
  高線形特性・低消費電流・省スペース化を実現したNJG1135MD7は、800MHz/1900MHz帯CDMA無線回路部のRF-IC*1のCMOS化を容易にし、携帯電話の低価格に貢献します。

NJG1135MD7の主な特徴
  1. High Gainモード時
    • IIP3 +10dBm typ.@f=880MHz
    • IIP3 +8dBm typ.@f=1960MHz
    を実現。
  2. High gain modeとLow gain modeの切替が可能。
  3. Low Gainモード時には、30µA(typ.)の低消費電流を実現。
  4. 小型パッケージの採用により、省スペース化に貢献。
  5. 保護素子を内蔵しており、HBM(Human Body Model)法で、2000V以上の高いESD(Electrostatic Discharge)耐圧を実現。

などの特徴を有し、800MHz/1900MHz帯CDMA携帯電話に最適です。

用語解説
*1 :RF-IC 無線周波数帯信号処理IC
<開発製品一覧>
製品名 機  能 応  用 外 形
NJG1135MD7 CDMA 2000用
デュアルバンド低雑音増幅器
携帯電話 EQFN14-D7
NJG1135MD7
<製品の機能および特徴の概要> [共通項目] [High Gainモード] [Low Gainモード] [共通項目] <ブロック図>
Top View
NJG1135MD7
<生産予定/サンプル価格>

新日本無線では、NJG1135MD7のサンプル配布を2009年1月より開始しており、生産は2009年2月より月産30万個で立ち上げる予定です。なお、サンプル価格は@¥100です。

詳細なスペックはこちら
NJG1135MD7

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