GPS機能付き携帯端末の更なる小型化に貢献

2007年8月30日

GPS用 高利得低雑音二段増幅器GaAs MMIC NJG1130KA1のサンプル配布開始

新日本無線では、GPS機能付き携帯端末向けに最適な高利得/低雑音増幅器(以降LNA)GaAs MMIC NJG1130KA1の開発を完了し、サンプル配布を可能としました。

近年、携帯電話やPDAに代表される携帯端末は、GPS機能搭載が標準に成りつつあります。今後はこれらの携帯端末およびPNDがGPS市場の主流になると予想され、搭載するLNAは低消費電流、高利得、および小型化が市場要求となっております。NJG1130KA1は、このような要求を満たすことを目的として開発されたGPS用高利得LNA GaAs MMICです。

従来品のLNA IC単品では、GPS搭載端末で要求される20dB (typ.)以上の高利得は得られず、LNA ICを二個搭載していました。NJG1130KA1は、二段アンプ構成にすることで、単品で29.0dB(typ.)の高利得を実現し、省スペース化を可能としました。さらにESD保護素子付きのP-HEMTプロセスを採用することで、内部素子間の距離を縮めることができチップの小型化も実現し、小型パッケージFLP6-A1(1.6×1.6×0.55mm)への搭載により、搭載基板の小型化に貢献します。また、P-HEMTプロセスの採用は、低消費電流(5.0mA)、低雑音(0.65dB)も実現しました。

NJG1130KA1の主な特徴
  • 二段アンプ構成により29dBの高利得を実現。
  • ESD保護素子付きのP-HEMTプロセスの採用により高ESD耐圧、小型パッケージへの搭載を実現。
  • P-HEMTプロセスを採用することにより低消費電流(5.0mA)、低雑音(0.65dB)を実現。

などの特徴を有し、GPS機能付き携帯端末に最適です。

※用語解説
GPS(Global Positioning System) / LNA(Low Noise Amplifier) / PDA(Personal Digital Assistant) / PND(Personal Navigation Device)
ESD(Electrostatic Discharge) / P-HEMT(Pseudomorphic high electron mobility transistor)
<開発製品一覧>
製品名 機  能 応  用 外 形
NJG1130 GPS用高利得低雑音
二段増幅器GaAs MMIC
携帯電話、PNDおよびGPS機能付き携帯端末カーナビゲーションシステム FLP6-A1
NJG1130KA1
<製品の機能および特徴の概要>
· 動作電圧   +2.85V (typ.)
· 低消費電流   5.0mA (typ.)
· 高利得   29.0dB(typ.) @f=1.575GHz
· 低雑音   0.65dB(typ.) @f=1.575GHz
· 高出力P-1dB   +11.0dBm(typ.) @f=1.575GHz
· 高出力 IP3   +14.0dBm(typ.) @f=1.575GHz+ 1.5751GHz, Pin=-35dBm
· ESD保護素子内蔵
· 小型パッケージ   FLP6-A1 (1.6× 1.6× 0.55mm)
<生産予定/サンプル価格>
弊社では、NJG1130KA1のサンプル配布を2007年7月より開始しており、生産は8月末より月産50万個で立ち上げる予定です。
なお、サンプル価格は@¥70 です。
詳細なスペックはこちら
NJG1130KA1

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