CMOS RFを用いた800MHz帯CDMA携帯電話用低雑音増幅器として最適

2006年11月29日

バイパス回路付き低雑音増幅器 GaAs MMIC NJG1127HB6のサンプル配布開始

新日本無線では、CMOS RF ICを用いた800MHz帯CDMA携帯電話向けに最適なバイパス回路付き低雑音増幅器GaAs MMIC NJG1127HB6の開発を完了し、サンプル配布が可能となりました。

高周波のRF回路をCMOS技術で実現するCMOS RF ICでは、低雑音増幅器を構成することが難しい事から、高性能のLNAが求められています。NJG1127HB6は、このような要求を満たすことを目的として開発された、800MHz帯CDMA携帯電話端末を主用途とするバイパス回路付き低雑音増幅器です。

NJG1127HB6は、ローノイズアンプ(LNA)、バイパス回路、制御用ロジック回路で構成され、低歪特性 IIP3=+8dBm min. @f=880MHz(High gainモード時)を実現することにより、要求される特性を満足できる受信系回路ブロックの設計が容易となります。

また、強電界入力時にアンプによるRF信号の増幅が不要なため、NJG1127HB6はローノイズアンプを介さないバイパス回路を内蔵するとともに、内蔵のローノイズアンプをスタンバイ状態とするため低消費電流化を実現しました(Low Gainモード)。電界入力が通常時の場合、内蔵のローノイズアンプを介してRF信号を増幅する動作となります(High gainモード)。上記、Low Gainモード/High gainモードの切替えは、制御用ロジック回路によって1ビットのコントロール信号で切替える事ができ、マイコンなどによる制御が容易に行えます。

NJG1127HB6の主な特徴
  1. 高い線形性を有し
    • IIP3=+8dBm(min.) High Gainモード時
    • IIP3=+15dBm(min.) Low Gainモード時
    という低歪み特性を実現。
  2. Low Gainモード時には15µA(typ.)の低消費電流を実現。
  3. 制御用ロジック回路を内蔵することによって、モードの切替えが容易。
  4. 保護素子を内蔵しており、HBM(Human Body Model)法で1000V以上の高いESD(Electrostatic Discharge)耐圧を実現。

などの特徴を有し、800MHz帯CDMA携帯電話端末用低雑音増幅器として最適です。

<開発製品一覧>
製品名 機  能 応  用 外 形
NJG1127HB6 バイパス回路付き
低雑音増幅器GaAsMMIC
800MHz帯
CDMA携帯電話端末用低雑音増幅器
USB8-B6
NJG1127HB6
<製品の機能および特徴の概要>
高ESD耐圧   HBM 1000V以上
低電圧動作   +2.8V
低切り替え電圧   +1.85V
[High Gain モード]
高入力IP3   +8dBm(min.) @f=880MHz
高小信号利得   15dB(typ.) @f=880MHz
低雑音   1.4dB(typ.) @f=880MHz
[Low Gain モード]
高入力IP3   +15dBm(Min.) @f=880MHz
低消費電流   15µA(typ.)
  
小型・薄型パッケージ   USB8-B6(パッケージサイズ:1.5×1.5×0.55mm typ.)
<生産予定/サンプル価格>
弊社では、NJG1127HB6のサンプル配布を2006年11月より開始し、生産は2007年1月より月産50万個で立ち上げる予定です。なお、サンプル価格は@¥50です。
詳細なスペックはこちら
NJG1127HB6

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