新日本無線はデンソーとオーディオ用SiC-MOSFETの共同開発

2014年10月16日

車載用半導体の取組みを通じて関係を深めている新日本無線株式会社(本社:東京都中央区 代表取締役社長:小倉 良)と株式会社デンソー(本社:愛知県刈谷市 取締役社長:加藤 宣明)は、オーディオ用・高音質半導体デバイス“MUSES”のラインアップ強化と、SiC技術“REVOSIC®”の新たな用途開拓を目的として、オーディオ用SiC-MOSFETの共同開発を実施しました。


【共同開発の背景】

新日本無線は、MUSESシリーズとしてオペアンプ、電子ボリューム等の生産・販売を開始して以来、オーディオ機器メーカや自作オーディオファンにご好評を頂いており、新製品の投入を積極的に進めておりました。

デンソーは、産業・車載用に蓄積してきたSiC技術“REVOSIC®”を応用した新たな用途の開拓を検討しておりました。

SiCが音質向上に有効である事はMUSES7001(オーディオ用SiC-SBD)で実証済みであり、高音質オーディオ市場がREVOSIC®の新たな市場として有望である事から、新日本無線とデンソーはオーディオ用SiC-MOSFETの共同開発をする事に合意し、既にプロトタイプとして製品開発を実施しております。


開発中のSiC-MOSFETを用いて作製したオーディオパワーアンプで試聴評価を行い、比類のない音質が得られている事から、近年のハイレゾオーディオ市場に大きな貢献を果たせるものと確信しております。


MUSESシリーズ:「音の質感を高める」・「空間の再現性を高める」など音質にこだわり、材料/回路技術/チップレイアウトなど、新日本無線のオーディオIC技術を結集した高音質半導体デバイスシリーズです。

REVOSIC®:高品質,低損失を実現するデンソーのSiC技術の総称です。業界最高の品質(超低欠陥)を誇る6インチウェハからパッケージまで一貫開発しています。

MUSES商標
REVOSIC商標

【共同開発のメリット】

1. オーディオ用デバイス・パワーデバイスそれぞれの強みを生かした共同開発
オーディオ用半導体デバイスで定評のある新日本無線と、車載用パワーデバイスで高品質を追求してきたデンソーがそれぞれの強みを生かした半導体デバイスの共同開発を行う事により、新たな高音質オーディオ用デバイスの開発が実現しました。

2. パワーデバイスの新規市場開拓
デンソーは、REVOSIC®を応用した低オン抵抗,高速スイッチングのパワーデバイスを活用し、あらゆる機器を省電力化することで、低炭素社会の実現に向けて貢献します。主用途である産業用途、車載用途以外にも新規市場開拓を図ります。

3. MUSESシリーズのラインナップ強化
オーディオ市場で実績のあるMUSESシリーズのオペアンプ、電子ボリューム、SiC-SBDに加え、MUSESシリーズで培った高音質化技術を用いた新たなオーディオ用半導体デバイスのラインナップ強化を図ります。

SiC-MOSFET
SiC-MOSFET

【製品機能】

オーディオ用SiC-MOSFET
高速スイッチング特性
低オン抵抗
外形 TO-247

【アプリケーション】

高級オーディオ機器
プロ用オーディオ機器

【生産予定/サンプル価格】

サンプル配布 未定
サンプル価格 未定
生産予定 2015年下期予定

【本件に関するお問い合わせ先】

新日本無線株式会社 電子デバイス事業部 第一商品企画部 広告企画課 担当 西田
TEL:049-278-1497  e-mail:semicon@njr.co.jp

【トピックス】

10月25日(土)、26日(日)に開催の「秋のヘッドフォン祭2014」(主催:株式会社フジヤエービック、会場:中野サンプラザ)新日本無線ブースにおいて、SiC-MOSFETを使用したヘッドホンアンプの試聴デモを行います。是非新日本無線ブースにお越しください。


MUSES商標

は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。

このリリース内容は発表日時点の情報です。最新情報につきましてはお問い合わせください。

ページトップへ